Voor de duidelijkheid (
) toch nog even de volgende nuanceringen:
Modernere boosters worden niet minder heet omdat er een H-brug in zit, maar omdat de toegepaste schakelelektronica een stuk efficiënter werkt.
Een mosfet heeft een veel betere karakteristiek dan een darlingtontransistor en een nagenoeg perfect schakelgedrag.
Neem bijvoorbeeld een BUZ11, die heeft een maximum stroom van 30 Ampere continue en gepulst tot 120 Ampere.
E.e.a. houdt dan ook in dat de Rds-on waarde erg laag moet zijn, en dat is ie: 0,04 Ohm maximaal.
Daar moet je aardig wat stroom door sturen om enige hitte te krijgen:
Als booster met 5 Ampere kom je aan 1 Watt op gestookt vermogen, terwijl
Een TIP140 transistor bijvoorbeeld heeft 2 Volt over collector-emitter bij 5 Ampere.
Je stookt dan 10 Watt in die ene transistor op in warmte. 10 maal zoveel.
Dat zijn de waardes in geleidende toestand, bij het on/off schakelen ontstaat ook nog warmte, maar dat laat ik even zitten hier.
Een voordeel van een H-brug is de a-symmetrische voeding - dus simpeler en goedkoper - en de makkelijkere aansturing.
grv Huub